IRFB3307ZGPBF正品原裝進口現貨

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產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續漏極電流: 84 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 79 nC
Pd-功率耗散: 230 W
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: MOSFET


子類別: MOSFETs
零件號別名: SP001551736
單位重量: 6 g
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助力6英寸碳化硅襯底項目擴產，第三代半導體企業同光晶體完成A輪融資

來源：國投創業 綜合整理作者：時間：2020-12-03 10:02

6英寸碳化硅襯底項目

國投創業近日完成對第三代半導體碳化硅單晶襯底領先企業河北同光晶體有限公司（簡稱“同光晶體”）A輪投資，助力公司實現淶源基地6英寸碳化硅襯底項目快速擴產和現有產品優化提升。國投創業持續加碼第三代半導體，打造襯底、外延、芯片、器件、應用等產業鏈投資生態。

第三代半導體具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。碳化硅襯底位于第三代半導體產業鏈的最上游，是制造通信射頻芯片、高端電力電子器件（如MOSFET、IGBT等）的核心材料，下游產品廣泛應用在5G基站、新能源汽車、高速鐵路、新型電網中，技術長期被國外企業壟斷和禁運。

自2012年成立以來，同光晶體致力于第三代半導體碳化硅單晶襯底制備技術的自主研發與創新，已建成粉料合成、晶體生長、切割加工、晶體檢測的完整產線，年產4-6英寸碳化硅襯底數萬片，是國際上少數同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底制備技術的企業。

同光晶體多年來連續承擔國家“863”計劃、國家重點研發計劃、國家技術改造工程、河北省重點研發計劃等各級科研課題、項目二十余項，與北京大學、清華大學等多所知名高校成立聯合實驗室，并建有院士工作站，引進多位半導體領域知名院士指導公司技術創新方向。

同光晶體將高品質碳化硅單晶襯底成功應用到我國5G基站建設中，打破了行業壁壘，加速實現國產替代。公司的4英寸高純半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造高端射頻芯片，其各項技術指標均達到國際先進水平；在導電型襯底方面，同光晶體取得工程化關鍵技術突破，其6英寸產品滿足電力電子器件的各方面技術要求，已具備批量生產條件，并在知名客戶處形成應用。

國投創業認為，伴隨5G、電動汽車等行業的發展，碳化硅行業相關企業將迎來快速成長機會。同光晶體在第三代半導體襯底領域擁有豐富的技術積累及人才儲備，有助于加快國產化替代，具有良好的市場前景。