描述：STW48N60M2
該器件是使用MDmesh M2開發的N溝道功率MOSFET技術。 由于其帶狀布局和改進的垂直結構，該設備
具有低導通電阻和優化的開關特性，使其具有
適用于最苛刻的高效轉換器。
產品特點：STW48N60M2
訂貨代碼V DS @ TJmax。 最大RDS（on） ID
STW48N60M2 650 V 70兆歐42 A
•極低的柵極電荷
•出色的輸出電容（COSS）曲線
•經過100％雪崩測試
•齊納保護
•切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 42 A
Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Tube
配置: Single
系列: STW48N60M2
商標: STMicroelectronics
下降時間: 119 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 18.5 ns
單位重量: 38 g
