NTGS3446T1G正品原裝進口現貨

封裝：SOT23-6

批號：20+

品牌：ON/安森美

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 36 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.94 mm
長度: 3 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: NTGS3446
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.5 mm
商標: ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值: 12 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns


子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
單位重量: 20 mg

聯合碳化硅基于第四代先進技術推出新型SiC FET器件

來源：華強電子網作者：時間：2020-12-01 14:56

聯合碳化硅先進技術SiC

領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，現已基于其第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領先的品質因數（FoM）實現了新的性能水平，從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正（PFC）和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無與倫比，并且其單位面積通態電阻更低，本征電容也很低。在硬開關應用中，第四代FET實現了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）規格則可實現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產品的性能（無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗并提高了效率。

這些新器件將聯合碳化硅的產品擴展到了750V，這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線電壓應用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅動器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動。因此，就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用。

正如聯合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：“從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器，這些器件可幫助各行各業的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰。

“我們將在未來9個月內發布許多第四代新器件，而在性價比、散熱效率和設計裕量等方面實現進一步提高。到那時，各行各業就都有望克服大規模采用的挑戰，并借此加速創新。”

這四款第4代750V新SiC FET的定價（千片起，美國離岸價）從UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可從授權分銷商處購買。