描述：MT41K128M16JT-125 IT:K
1.35V DDR3L SDRAM器件是低壓版本
1.5V DDR3 SDRAM器件。請參閱DDR3（1.5V）SDRAM數據表規格何時在1.5V兼容模式下運行。

特征：MT41K128M16JT-125 IT:K
•VDD = VDDQ = 1.35V（1.283–1.45V）
•向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V
•差分雙向數據選通
•8n位預取架構
•差分時鐘輸入（CK，CK＃）
•8家內部銀行
•標稱和動態片上終止（ODT）
用于數據，選通和屏蔽信號
•可編程CAS（READ）延遲（CL）
•可編程過帳的CAS附加延遲（AL）
•可編程CAS（WRITE）延遲（CWL）
•固定的突發長度（BL）為8，突發斬波（BC）為4
（通過模式寄存器集[MRS]）
•即時選擇BC4或BL8（OTF）
•自刷新模式
•攝氏95度
–最高85°C的64ms，8192個周期的刷新
–> 85°C至95°C時32ms，8192個周期的刷新
•自刷新溫度（SRT）
•自動自我刷新（ASR）
•寫作練級
•多用途寄存器
•輸出驅動器校準


選項標記：MT41K128M16JT-125 IT:K
•配置
– 512麥格x 4 512M4
– 256 Meg x 8 256M8
– 128 Meg x 16 128M16
•FBGA封裝（無鉛）– x4，x8
– 78球（8mm x 10.5mm x 1.2mm）
牧師
•FBGA封裝（無鉛）– x16
– 96球（8mm x 14mm x 1.2mm）
版本K
日本電信
•時間-循環時間
– 1.07ns @ CL = 13（DDR3-1866）-107
– 1.25ns @ CL = 11（DDR3-1600）-125
– 1.5ns @ CL = 9（DDR3-1333）-15E
– 1.875ns @ CL = 7（DDR3-1066）-187E
•工作溫度
–商業（0°C≤TC≤+ 95°C）無
–工業（–40°C≤TC≤+ 95°C）IT
•修訂版：K

制造商:MT41K128M16JT-125 IT:K
Micron Technology
產品種類:
動態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
封裝 / 箱體:
FBGA-96
系列:
MT41K
封裝:
Tray
商標:
Micron
安裝風格:
SMD/SMT
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
DRAM
工廠包裝數量:
1368
子類別:
Memory & Data Storage