PC28F064M29EWLA是一種異步并行并行NOR閃存設備，在
65nm單位單元（SBC）技術。讀取，擦除和編程操作是
使用單個低壓電源執行。開機后，設備默認為
讀取陣列模式。
主存儲器陣列分為統一的塊，可以獨立擦除這些塊，以便在清除舊數據時可以保留有效數據。程序和擦除
命令被寫入存儲器的命令接口。片上程序/
擦除控制器通過以下操作簡化了編程或擦除存儲器的過程
注意更新內存內容所需的所有特殊操作。一個結束
可以檢測到PROGRAM或ERASE操作，并且可以識別任何錯誤情況。控制設備所需的命令集與JEDEC標準一致。
CE＃，OE＃和WE＃控制設備的總線操作，并實現與大多數微處理器的簡單連接，而通常無需附加邏輯。
PC28F064M29EWLA支持異步隨機讀取和從所有塊的頁讀取。
數組。它還具有一個內部程序緩沖區，可通過一個命令序列對256個字進行編程，從而提高了吞吐量。設備包含擴展的128字
與地址塊0重疊的存儲塊。用戶可以對此編程
額外的空間，然后對其進行保護以永久固定內容。該設備還具有不同級別的硬件和軟件保護，以保護塊免受
不必要的修改。
有關系統設計以及VCC和VCCQ信號的詳細信息，請參閱TN-13-30，“ Micron Flash Memory的系統設計注意事項”
產品特點：PC28F064M29EWLA
• 電源電壓
– VCC = 2.7–3.6V（編程，擦除，讀取）
– VCCQ = 1.65–3.6V（I / O緩沖器）
•異步隨機或頁面讀取
–頁面大小：8個字或16個字節
–頁面訪問：25ns
–隨機訪問（VCCQ = 2.7–3.6V）：60ns（BGA）；
70ns（TSOP）
•緩沖區程序：最大256字的程序緩沖區
•節目時間
–每字節0.56μs（使用256-bit時，TYP為1.8 MB / s
沒有VPPH的緩沖區程序中的字緩沖區大小）
–每字節0.31μs（使用256-bit時，TYP為3.2 MB / s
使用VPPH的緩沖區程序中的字緩沖區大小）
•記憶組織
– 32Mb：64個主塊，每個64KB，或8個8KB
引導塊（頂部或底部）和63個主要塊，
每個64KB
– 64Mb：128個主塊，每個主塊64KB，或八個8KB
引導塊（頂部或底部）和127個主要塊，
每個64 KB
– 128Mb：128個主要區塊，每個128KB
•編程/擦除控制器
–嵌入式字節/字程序算法
•編程/擦除暫停和恢復功能
–在PROGRAM SUSPEND操作期間，對另一個塊的READ操作
–在對另一塊執行ERASE SUSPEND操作期間對一個塊進行讀或編程操作
塊
•BLANK CHECK操作以驗證擦除的塊
•解鎖旁路，塊擦除，芯片擦除和寫入
緩沖能力
–快速緩沖/批量編程
–快速的塊和芯片擦除
•VPP / WP＃引腳保護
– VPP上的VPPH電壓可加快編程速度
性能
–保護最高/最低區塊（H / L統一）或
頂部/底部兩個塊（T / B引導）
•軟件保護
–揮發性保護
–非易失性保護
–密碼保護
–密碼訪問
•擴展內存塊
– 128字（256字節）的塊，用于永久安全
鑒定
–在工廠或由工廠實施的程序或鎖
顧客
•低功耗：待機模式
•符合JESD47H
–每個塊100,000個最小ERASE周期
–數據保留：20年（TYP）
•65nm單位單元制程技術
•包裝（JEDEC標準）
– 56針TSOP（128Mb，64Mb）
– 48針TSOP（64Mb，32Mb）
– 64球FBGA（128Mb，64Mb）
– 48球BGA（64Mb，32Mb）
•提供綠色包裝
–符合RoHS
–無鹵素
•工作溫度
–環境：–40°C至+ 85°C
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-64
系列: M29EW
存儲容量: 64 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 50 mA
接口類型: Parallel
組織: 8 M x 8/4 M x 16
數據總線寬度: 8 bit/16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 60 ns
類型: No Boot Block
商標: Micron
電源電流—最大值: 50 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 1104
子類別: Memory & Data Storage
