MOSFET硅N溝道MOS（U-MOS
-H）
•高效DC-DC轉換器•開關穩壓器
（1）高速切換
（2）小柵極電荷：QSW = 5.2 nC（典型值）
（3）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 3.3 m
Ω（典型值）（VGS = 4.5 V）
（4）低漏電流：IDSS = 10
μA（最大值）（VDS = 30 V）
（5）增強模式：Vth = 1.3至2.3 V（VDS = 10 V，I
D = 0.3 mA）
制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 45 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商標名: U-MOSVIII-H
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.85 mm
長度: 3.1 mm
系列: TPN2R703NL
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.1 mm
商標: Toshiba
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
單位重量: 20 mg
