類型 隔離模塊
輸出數 2
電壓 - 輸入（最小值） 9V
電壓 - 輸入（最大值） 36V
電壓 - 輸出 1 15V
電壓 - 輸出 2 -15V
電壓 - 輸出 3 -
電壓 - 輸出 4 -
電流 - 輸出（最大值） 500mA，500mA
功率 (W) 15W
電壓 - 隔離 1.5kV
應用 ITE（商業）
特性 -
工作溫度 -40°C ~ 105°C
效率 90%
安裝類型 通孔
封裝/外殼 6-DIP 模塊
大小 / 尺寸 1.00" 長 x 1.00" 寬 x 0.46" 高（25.4mm x 25.4mm x 11.7mm）
晶圓代工龍頭臺積電2020年繳出亮麗成績單，預期全年美元營收年成長率逾3成并創下歷史新高。2021年雖然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地緣政治及貿易戰等外在環境變量，但晶圓代工訂單強勁，第二季前產能利用率維持滿載。設備業者及市場法人看好臺積電2021年3nm產能建置及2nm技術研發加速進行，全年資本支出將上看200億美元再創新高。
臺積電2020年資本支出估達170億美元，創下新高無虞。但7nm及5nm等先進制程、16nm以上成熟制程等產能仍供不應求。臺積電2021年持續擴增產能以因應強勁需求，包括Fab 18A廠第三期5nm產能將在第一季開出，Fab 18B廠3nm產能建置正加速進行，同時提升2nm閘極全球場效晶體管（GAAFET）技術研發速度等。
以2021年新廠建置進度來看，臺積電針對3nm制程打造的Fab 18B廠共3期工程已動工，美國5nm建廠即將展開，南科Fab 14廠會再興建P8廠做為特殊制程晶圓廠，并在同一廠區內興建先進封裝技術生產基地。再者，竹科廠區將興建擁有兩座研發晶圓廠的研發中心，其中R1研發晶圓廠預計2021年完工，做為2nm及更先進制程的研發基地，竹南先進封裝廠則如期進行。
設備業者指出，受惠于5G及WiFi 6、人工智能及高效能運算（AI/HPC）、車用及物聯網芯片等晶圓代工需求強勁，臺積電看好2021年產能持續供不應求，7nm及5nm接單幾乎全滿，成熟制程產能全線吃緊，加上3nm產能建置及美國5nm新廠動工將同步展開，持續增加極紫外光（EUV）曝光機及相關設備采購規模，預期2021年資本支出將上看200億美元，連續3年創下歷史新高。
臺積電3nm將于2022年第二季進入量產，5G及HPC應用會是主要產品線。根據臺積電規畫，3nm晶圓廠廠房基地面積約為35公頃，潔凈室面積將超過16萬平方公尺，大約是22座標準足球場大小。3nm進入量產時，當年產能預估將超過每年60萬片12吋晶圓。業界預期臺積電會是全球第一家提供3nm量產的半導體廠，該廠區也會是全球擁有最多EUV產能的超大型晶圓廠（GigaFab）。
臺積電擴大資本支出，大同盟合作伙伴直接受惠。其中，先進制程晶圓廠及先進封裝廠的建置，包括漢唐、帆宣、信纮科等廠務工程業者直接受惠，2021年在手訂單將續創新高。另外，臺積電擴大EUV及先進制程產能，極紫外光光罩盒（EUV Pod）供貨商家登及設備代工廠帆宣將受惠，設備及備品供貨商京鼎、弘塑、意德士等亦同步受惠。
NS4158
TM1722
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HX4004
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LM7805
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DP817B/C
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TL431
