描述：STB120NF10T4
N通道100 V，9.0mΩ（典型值），110 A STripFET™II
D2PAK，TO-220和TO-247封裝的功率MOSFET
這些功率MOSFET已開發
使用意法半導體獨特的STripFET
過程，專門用于
最小化輸入電容和柵極電荷。
這使得該設備適合用作
先進的高效率主開關
用于電信和電信的隔離式DC-DC轉換器
計算機應用程序和低端應用程序
柵極電荷驅動要求。


產品特點：STB120NF10T4
最大訂購號VDS RDS（on） ID
STB120NF10T4
STP120NF10 100 V 10.5兆歐110 A
STW120NF10
出色的dv / dt功能
經過100％雪崩測試

低柵極電荷

應用領域：STB120NF10T4
切換應用

STB120NF10T4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 10.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 172 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 312 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
系列: STB120NF10
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 9.35 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 68 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 90 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 132 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
單位重量: 4 g