N通道增強模式MOSFET
特征：BS870-7-F
低導通電阻
低門限電壓
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注釋3和4）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
機械數據：BS870-7-F
案例：SOT23
外殼材料：模制塑料。 UL易燃性分類
額定94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子連接：請參見圖
接線端子：亞光錫涂層在42號合金引線框架上退火
（無鉛電鍍）。 根據MIL-STD-202，方法208可焊接
重量：0.008克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 250 mA
Rds On-漏源導通電阻: 5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: BS870
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度: 1.3 mm
商標: Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值: 80 mS
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 5 ns
典型接通延遲時間: 2 ns
單位重量: 34 mg
