型號：
W25Q128JVSIQ
廠家:WINBOND
批號：新
封裝：SOP8
數量：19850
庫位：深圳19850
說明：只做原裝 一片起送
W25Q128JVSIQ TR Winbond Electronics | W25Q128JVSIQTR-ND | Digi-Key Electronics" />
一般信息
數據列表
W25Q128JV Datasheet;
標準包裝
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2,000
包裝
標準卷帶
零件狀態
有源
類別
集成電路（IC）
產品族
存儲器
系列
SpiFlash®
其它名稱
W25Q128JVSIQ TR-ND
W25Q128JVSIQTR
規格
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NOR
存儲容量
128Mb（16M x 8）
存儲器接口
SPI - 四 I/O，QPI，DTR
時鐘頻率
133MHz
寫周期時間 - 字，頁
3ms
電壓 - 供電
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
供應商器件封裝
8-SOIC
場效應管也就是mos管，在電子發燒音響領域內，場效應管功放電路應該算是基礎應用的電路之一了。它在音響行業中，扮演著地位舉足輕重的角色。那么各位電工愛好者，對這個電路是否有了解呢?接下來小編將結合場效應管功放電路圖，為您詳細解說。
場效應管功放電路圖
1. 自制的場效應功放電路圖
自制的場效應功放電路圖解讀
為減小失真，輸入級采用差動放大電路。V1用對管2SC1583，穩定性和對稱性好；V2接成恒流源，為本級提供穩定的靜態工作電流，采用恒流源作差動放大器的射極電阻，可提高差動放大器的共模抑制比和動態范圍，從而進一步改善失真。c1為輸入耦合電容，R1、c2構成低通濾波器，阻止前級的超音頻干擾信號竄入功放；R2決定了功放的輸入阻抗。合形式，是從成本上考慮的。若全用場效應管，效果更好。
各管的射(陰)極都加有本級電流負反饋電阻，起穩定靜態工作點的作用。有利于改善失真。整機負反饋則由R18、R19、C6、C7組成，總增益約為26．8dB。C7是隔直電容，使前后級形成直流全負反饋，保證輸出中點靜態零電位。
c3、c6是為了抑制高頻自激振蕩而設置。放大器的電壓增益大部分由v3獲得，而c3可產生高頻負反饋，降低放大器的高頻增益，破壞高頻自激的幅度條件。但c3又使高頻相位 更加滯后，所以在反饋回路中加入C6，進行相位超前補償，破壞高頻自激的相位條件。
C5、R17組成相移校正電路，使負載近于純電阻。防止高頻自激。由于揚聲器阻抗中的電感分量在高頻時明顯增加，使放大器的負載呈電感性，引起輸電流滯后于輸m電 壓。若放大器的高頻增益較高，還容易產生高頻自激振蕩。
R13、R14串接在柵極是防止VMOS管產生高頻自激。(]由于柵極的高阻抗，加上接線及分布電容、電感和柵極分布電容的影響，VMOS管在工作中可會出現高頻自激振蕩。解決V3為第二級電壓放大管，V5接成恒流源，為本級提供穩的靜態工作電流和高的負載阻抗，由于V5的存在，v3的壓增益大為提高，這樣，就不必用自舉電路。
V4、VR和R9接在V3、V5集電極之間構成Vbe擴大電，調節VR可改變末級大功率管的靜態工作電流。V4還起度補償作用，當功率管的溫度升高時，V4的發射結壓降小，于是V4的集電極一發射極電壓也降低，從而降低了功管的靜態電流，作用與二極管相似，但比二極管更靈，安裝時應與功率管一起裝在散熱器上，電氣上要絕。
V6一V9等組成輸出級，采用雙極型晶體管與場效應管混的辦法是加入阻尼電阻，即在柵極串接一只電阻(一般不超過1kQ)。
原裝進口正品現貨供應：
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