EN25F80-100HCP是一個8M位（1024K字節）串行閃存，具有高級寫保護
通過高速SPI兼容總線訪問的機制。存儲器可設置為1至256
使用“頁編程”指令一次可讀取5個字節。
EN25F80-100HCP旨在一次允許單個扇區/塊或完全芯片擦除操作。的
EN25F80-100HCP可以配置為以軟件保護模式保護部分內存。該設備可以
在每個扇區或塊上至少維持100K編程/擦除周期。
產品特點：EN25F80-100HCP
•單電源供電
-全電壓范圍：2.7-3.6伏
•串行接口架構
-兼容SPI：模式0和模式3
•8 Mbit串行閃存
-8 M位/ 1024 K字節/ 4096頁
-每個可編程頁面256個字節
•高性能
-100MHz時鐘頻率
•低功耗
-12 mA典型有功電流
-1 μA典型斷電電流
•統一部門架構：
-256個4 KB扇區
-16個64 KB的塊
-任何扇區或塊都可以
個別刪除
•軟件和硬件寫保護：
-通過以下方式寫保護全部或部分內存
軟件
-通過WP＃引腳啟用/禁用保護
•高性能的程序/擦除速度
-頁面編程時間：典型1.3ms
-扇區擦除時間：典型值為90ms
-塊擦除時間通常為500ms
-芯片擦除時間：典型值為8秒
•可鎖定的256字節OTP安全扇區
•最小100K續航時間
•包裝選項
-8針SOP 150mil主體寬度
-8針SOP 200mil機身寬度
-8個觸點VDFN
-8針PDIP
-所有無鉛封裝均符合RoHS要求
•商業和工業溫度
范圍
詳細參數：EN25F80-100HCP
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期已過時
IHS制造商EON SILICON SOLUTION INC
包裝說明SOP-8
達到合規性代碼未知
HTS代碼8542.32.00.51
風險等級5.81
最大時鐘頻率（fCLK）100 MHz
數據保留時間-預設20
耐用100000寫/擦除周期
JESD-30代碼S-PDSO-G8
JESD-609代碼e3
長度5.275毫米
內存密度8388608位
內存集成電路類型FLASH
內存寬度8
功能數量1
端子數量8
字數1048576字
字數代碼1000000
工作模式同步
最高工作溫度70°C
最低工作溫度
組織1MX8
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼
封裝等效代碼SOP8，.3
封裝形狀SQUARE
封裝形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
電源3 / 3.3 V
編程電壓2.7 V
認證狀態不合格
座面最大高度2.2毫米
串行總線類型SPI
最大休眠電流0.000005 A
子類別Flash回憶
最大壓擺率0.025 mA
最大電源電壓（Vsup）3.6 V
最小電源電壓（Vsup）2.7 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級商業
端子面層錫（Sn）
端子形式鷗翼
端子節距1.27 mm
端子位置DUAL
類型NOR TYPE
寬度5.275毫米
寫保護硬件/軟件
