一般說明：W25M02GVZEIG
W25M02GVZEIG（2 x 1G位）串行MCP（多芯片封裝）閃存基于W25N通過將兩個單獨的W25M02GVZEIG芯片堆疊到標準8引腳中，實現串行SLC NANDSpiFlash®系列包。它為低引腳數封裝和并行提供了最高的存儲密度首次在串行閃存中進行操作。 W25MSpiStack®系列非常適合小尺寸要求高程序/擦除數據吞吐量的系統設計和應用程序。全部W25NSpiFlash系列設備采用節省空間的包裝，過去無法使用。用于典型的NAND閃存。SpiStack®產品系列引入了新的“ Software Die Select（C2h）”指令以及工廠為每個堆疊的芯片分配“芯片ID＃”。每個W25M02GVZEIG芯片甚至都可以獨立訪問盡管接口是共享的。 SpiStack®功能僅允許單個管芯處于活動狀態并具有在任何給定時間控制SPI接口以避免總線爭用。
W25M02GVZEIG支持標準串行外圍設備接口（SPI），雙/四I / O SPI：串行時鐘，芯片選擇，串行數據I / O0（DI），I / O1（DO），I / O2（/ WP）和I / O3（/ HOLD）。 SPI時鐘頻率支持高達104MHz的頻率，從而為Dual I / O和IO的等效時鐘速率達到208MHz（104MHz x 2）。使用快速讀取雙/四通道I / O指令時，四通道I / O為416MHz（104MHz x 4）。
W25M02GVZEIG提供了新的連續讀取模式，可以有效訪問整個帶有單個讀取命令的存儲陣列。此功能非常適合代碼影子應用程序。此外，該設備支持JEDEC標準制造商和設備ID，一個2,048字節的唯一ID。頁，一個2,048字節的參數頁和十個2,048字節的OTP頁。提供更好的NAND閃存內存可管理性，用戶可配置的內部ECC，壞塊管理W25M02GVZEIG。

2.特點：W25M02GVZEIG
新的SpiFlash存儲器系列
– W25M02GV：2x1G位/ 2x128M字節
–標準SPI：CLK，/ CS，DI，DO，/ WP，/保持
–雙SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，/ WP，/保持
–四路SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，IO2，IO3
–兼容的SPI串行閃存命令
最高性能的串行NAND閃存
– 104MHz標準/雙/四通道SPI時鐘
–等效于208 / 416MHz的Dual / Quad SPI
–連續數據傳輸速率為50MB / S
–快速的編程/擦除性能
–超過100,000個擦除/編程周期（4）
–保留超過10年的數據
高效的“連續讀取模式”（1）
–緩沖區讀取模式的替代方法
–無需發出“讀取頁面數據”
在讀取命令之間
–允許直接讀取整個陣列
靈活的“并行操作”
–獨立的單芯片訪問
–允許“在編程/擦除時讀取”
–允許“多管芯編程/擦除”
–提高程序/擦除吞吐量
低功耗，寬溫度范圍
– 2.7至3.6V單電源
– 25mA有源，20μA待機電流
– -40°C至+ 85°C的工作范圍
具有128KB塊的靈活體系結構
–統一的128K字節塊擦除
–靈活的頁面數據加載方法
高級功能
–用于存儲器陣列的片上1位ECC
– ECC狀態位指示ECC結果
–錯誤的塊管理和LUT（2）訪問
–軟件和硬件寫保護
–電源鎖定和OTP保護
– 2KB唯一ID和2KB參數頁面
–十個2KB OTP頁面（3）
節省空間的包裝
– 8片WSON 8x6-mm
– 16針SOIC 300密耳
– 24球TFBGA 8x6-mm
–聯系華邦以獲得其他包裝選擇
筆記：
1.兩者之間只有“讀取”命令結構不同
“連續讀取模式”和“緩沖區讀取模式”，
其他所有命令都相同。
2. LUT代表查找表。
3. OTP頁面只能編程。
4.耐力規格基于片上ECC或
1bit / 528字節ECC（糾錯碼）

制造商:W25M02GVZEIG
Winbond
產品種類:
多芯片封裝
RoHS:
詳細信息
類型:
NAND Flash, NOR Flash
存儲容量:
2 Gbit
封裝 / 箱體:
WSON-8
系列:
W25M02GV
安裝風格:
SMD/SMT
最大時鐘頻率:
104 MHz
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
組織:
256 M x 8
產品:
NAND-Based MCP
商標:
Winbond
接口類型:
SPI
數據總線寬度:
8 bit
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
Multichip Packages
工廠包裝數量:
63
子類別:
Memory & Data Storage
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電壓-最小:
2.7 V
商標名:
SpiStack