描述：NTMFS5C612NLT1G
MOSFET –單電源，
N通道

60 V，1.5 m，235安

產品特點：NTMFS5C612NLT1G
•占地面積小（5x6毫米），緊湊設計
•低RDS（on）以最小化傳導損耗
•低QG和低電容，可最大程度減少駕駛員損失
•NTMFS5C612NLWF-用于增強型光學的可濕面選項
檢查
•這些設備無鉛且符合RoHS要求

NTMFS5C612NLT1G

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 235 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 91 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
商標: ON Semiconductor
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 1500
子類別: MOSFETs
單位重量: 107.200 mg