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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）。
般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate柵極；S：source源極；D：drain漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱：positivechannelMetalOxideSemiconductor；別名：positiveMOS。
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。
MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區，作為NMOS的源漏區；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區，作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。
與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處于截止區，其電壓條件是：
VGS
|VGS|>|VTP(PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路[1]。
各種場效應管特性比較編輯
在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示：雙應力襯墊(DSL)方法導致NMOS和PMOS中的有效驅動電流分別增加15%和32%，飽和驅動電流分別增加11%和20%。PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%，這已經成為其他應變硅研究的焦點。
化學物品編輯
PMOs即periodicmesoporousorganosilicas，介孔硅基有機-無機雜化材料。它是一種分子水平上有機組分與無機組分在孔壁中雜化的材料，這類材料有著許多獨特的性質：有機官能團均勻分布在孔壁中且不堵塞孔道，有利于客體分子的引入和擴散；骨架中的有機官能團可以在一定程度L調節材料的物化性質，如機械性能，親/疏水性；可以同時實現對孔道和孔壁功能性的調變．正因如此，PMOs已成為當今材料科學領域的一個研究熱點。
上世紀90年代初以M41S(Mobilecompositeofmatter)及FSM(foldedsheetsmesoporousmateri-al)為代表的有序介孔氧化硅材料的報道掀起了介孔材料的合成和應用研究的熱潮。一方面，有序介孔材料的出現突破了微孔材料(如沸石)的孔徑限制，可以在有機大分子、生物大分子的固載、催化轉化等領域中得到應用；另一方面，介孔材料中不同取向、不同尺寸及不同連通度的孔道作為理想的納米反應器，可以用來組裝和限域金屬配合物及生物大分子，定向合成納米粒子等．最初的介孔材料的孔壁組成為氧化硅，為了拓展其在不同領域的應用，研究者們致力于擴展其孔壁組成的研究，包括雜原子摻雜介孔氧化硅，介孔金屬氧化物、金屬、硫化物、碳、聚合物等，以及對介孔氧化硅進行有機修飾怛¨．其中有機修飾是擴展其應用的最為便捷也最為靈活的途徑之一。對于有機官能化的介孑L氧化硅材料主要分為表面結合型及橋鍵型有機一無機介孔材料兩種。表面結合型有機一無機介孔材料可以通過后嫁接或共縮聚兩種方式將有機基團引入到介孔材料的孔道中。引入的有機基團還可以通過進一步的化學反應衍生出新的活性中心。表面結合型有機一無機介孔材料的活性位比較容易接近，可選的有機基團種類也相對較多。但這種方法合成的材料存在有機基團分布不均勻，占用孔道空間降低孔容等缺點。橋鍵型有機一無機介孔材料，簡稱PMOs（PeriodicMesoporousOrganosilicas)，是指有機基團存在于材料的孔壁結構中的有機一無機介孔材料[2]。
安全操作系統編輯
基于YunOS深度定制的PMOS專用移動操作系統。
在反向保護電路中的應用編輯
反向保護電路中用到PMOS，不用使用二極管是壓降更小耗散無用功更少。別看有一個寄生正向二極管，但它完全沒有用處。在電路正常通電時，GATE接在遠低于D端的0電位上，此PMOS是完全導通的。反接電源時GATE的電位又遠高于S端，PMOS完全截止。
TL494CN FDS6990A LM324AN 24C16 MC7812CT BCV27
BAT54 NC7SZ04M5X 4N37 FDV302P LM556CN 74F04
MMBT3904 TIP142 FDS4953 MUR860 BCP55 FDS5670
4N25 NC7SB3157P6X LM358AM HCPL-2531 NDS332P BZX84C6V2
LM311N 1N5822 LM431ACM NDS356AP TIP117 NDS9936
TIP31C UC3845N FDC634P CD4069 RHRP860 NC7SZ02M5X
FDS6612A LM311M LM78L05ACZ FDV304P UC3844 74F08
78M05 1N4001 NE5532 NDS8936 NDS355AN FDC6331L
FDS6912A BC856B NDS352AP HCPL-2630 FDC6329L FDD8896
FDS8958A LP2951CMX MC3303D FDS6672A BD681 FDS6676S
FDS6690A UC3844N LF351N 74ACT04SCX FDS6680S BAV23S
BAT54A MOC3022 4N32 LM3302N MC7905CT TIP102
FDS4435 4N33 MOC3061 L272M TIP107 MC7912CT
IRF840 MC7805CT LM339AN MOC8050 FDS6575 IRF640NS
TIP32C TIP147 FDS9933A HCPL2630 74LCX32MTCX BCP51
BSS138 LM555CN LM1458M IRFD120 74LS244 74F74SCX
LF353N FDS6930A NE556 FQPF2N60C TIP120 UC3843N
LM393M 6N135 FDN337N NC7WZ14P6X FDC658P MM74HC04MX
MC34063A KA7500B TL431ACLP P6KE200A MMPQ6700 MJE13005
MMBT3906 KA7805 MC34063AD FDS6986S 4N38 FQP5N60C
BC847B FDS9926A FDG6301N HCPL-0600 BZX84C5V1 FDS7764A
FDC6323L LM2903M UC3845 LM2902 74F244 MMPQ3904
FDD6670A 74HC164 FDS9412 MMBT5401 FDS4501H FQPF9N50C
FDS7096N3 FDS6982S FDB7030BL FDS6898A FDB6035AL FDLL4148
MOC3021M IRF730 SI4410DY 2N4403 BUT11A 74LCX125MTCX
SMBJ33CA IRF740 FDS6975 MMBTA92 IRFP150 NC7WZ17P6X
SA555D LM348N KA3525A RHRG30120 CD4053 NDS9953A
MPSA06 LM317LM FDS6961A LM311 74F245 NC7SZ19P6X
KA3843B UC3843 FDS6875 FDN336P FDN360P FQP8N60C
FDS6680A FDV301N 2N5401 LM2901 IRF620 FQPF8N80C
74LCX08MX LM224N KA7500C RHRP8120 FQA11N90C FDD6690A
TIP121 LM319N NC7SZ32M5X TL494CD ML4800CP FDN340P
BD682 4N26 NC7SZ32P5X NDS0610 MMBD914 NC7SZ00P5X
LM337T 6N138 IRF820 FDN339AN TL431CD MPSA42
BZX84C4V7 LM741CN MBR1545CT FDN304P FDB6670AL TL431CLP
SI4420DY FQP50N06 RHRP15120 4N28 FDS9431A DF04S
FSUSB30MUX FDS4410 TIL113 LM324AM FDC6301N 74LCX04MTCX
FSDM311 NC7SZ08M5X LM239N IRFP250 BD136 UC3844D
LM339N FDV303N SI4435DY FDS4435A FDS8880 LM556CM
6N137 MOC3023 IRF530 FDG6303N FSDH321 LM317M
LM358N LM339MX LM350T MM74HC14MX HCPL2631 FDS3672
BAV99 NC7SZ08P5X FDS6694 MMBT5551 BDX54C BD435
LM2904N UC3846N LM2902M BC858B FQA24N50 BD135
LM393N 2N3906 NC7S08P5X NC7S04M5X MMPQ2907A MOC3010
LM324 H11AA1 NDS9435A TL431ACD NDC7002N KA3842B
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4N35 MMBT2222A IRF640N 4N36 LM358AN RHRP30120
BAT54C LM2904 LM1458N UC3845D LM348M MM74HC74AMX
BAT54S CNY17F-2 FDS6670A NC7SZ14P5X LM7905CT NC7SZ66M5X
TIP122 FQPF10N60C FQPF12N60C NC7SZ126M5X MOC3081 74LCX16245MTDX
LM317 FQPF8N60C LM317L NC7SZ125P5X BDX53C 74VHC32MTCX
FDS9435A BCP69 FMS6143CSX MJE3055T MMBT4403 2N2219A
6N136 FQPF5N60C MMBT2907A 74LCX08MTCX FDS6912 74LCX244WMX
TIP41C LM317LZ PZT2222A 74LS245 FQPF7N80C 74LS14
NE555 BC807-25 FDC638P FDS6680 NDS9407 74LS164
MC34063 FDS6375 MM74C922N FDC653N NC7ST08M5X BCP54
BAS16 MBR2045CT FQA9N90C KA7812 UC3842A 7805
TIP42C LM555CM FDS6679 MM74C923N FDN335N NC7WZ04P6X
UC3842AN NE558D NC7SZ74K8X 93C66 TIP112 RHRG75120
TIP127 LM258N NC7S08M5X 4N27 NC7S14P5X BAV103
20N06
30N06
50N06
50N03
A04430
STD60NF55LTG
FDP3632
NDD04N60Z-1G
AOD2N60
FDD14AN06
FDS5170N7
IRFR2407TRPBF
IRFR2407
HN75N09AP
FQPF33N10L
AO4812
IRF9540N
AP9561
IRF9540NPBF
AP9561GM-HF
FDS86141
AO4447A
FDD8796
FDS4501H
FDP047AN08A0
AOD438
FDS6692A
FDS86540
MBRF2060CT
MR20200CT
MBR30200CT
MRF20100CT
MBRD20100CT
MBR2045CT
BTA16-800B
MURF86OG
MBA40100CT
MBD6CGC
MBRD10100CT
MBR3045CT
MBRB2045CT
MBR2560CT
MBRB20100CTT4G
MBRD1045T4G
MBRB20200CTT4G
MBR15100CT
MBRD3045CT
RURP30100
FQPF7N60C
MTP33N10E
2SK4145
FQP12N60C
TIP32A
AOT2606L
AOB2606L
AOTF2606L60VN-Channel MOSFET
美國萬代半導體(AlphaandOmegaSemiconductor以下簡稱AOS公司是一家專門從事電源類集成電路設計和生產的高科技公司，AOS為消費、計算等領域提供電源管理方案，MOSFET是AOS傳統強項，在開關速度、減小損耗方面擁有優異表現,在PC應用上取得了世界前三的市場地位。AOS又推出了新的UniSiCMOSFET,針對大型太陽能逆變器等高端應用，可在發揮SiCMOSFET優勢的同時，顯著降低由于二極管帶來的能源損耗，在提高能源效率上有突出優勢。AOS以擁有功率半導體技術和商業運作之全面經驗感到自豪。.與作為主要競爭對手的其他電源大廠相比，AOS在新工藝方面更加銳進，其PowerMOSFET產品采用8寸晶圓，在高良率,高性價比方面占技術優勢.AOS也在合作的晶圓代工廠配置了公司專有的芯片處理和包裝技術,以配合設計和生產先進的功率半導體產品。
AOT10T60LAOD4128AOB482LAOD452AO6408AON6938
AOTF10T60AON7426AOT262LAO4616AOI4102AO4854
AOD2N60AO4202AOTF260LAO4618AO4566AO4882
AOD3N50AOD512AOWF20S60AON7934AO6403AOB409L
AON2401AOL1458AOW20S60AON6816AON6516AOT7N65
AOD454AAOI4T60AOW20C60AO4611AOV11S60AOTF450L
AO4449AOTF4N60AOT284LAO4842AOV15S60AO4447
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AOT416AON7421AON6284AO4498EAO3402AO3423
