描述：SUM110P06-07L-E3
P通道60 V（D-S）175°C MOSFET

特征：SUM110P06-07L-E3
•TrenchFET®功率MOSFET
•低熱阻封裝
•物料分類

制造商:SUM110P06-07L-E3
Vishay
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-263-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
110 A
Rds On-漏源導通電阻:
6.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
230 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
375 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
TrenchFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
系列:
SUM
晶體管類型:
1 P-Channel
商標:
Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值:
20 S
下降時間:
50 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
25 ns
工廠包裝數量:
800
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
110 ns
典型接通延遲時間:
20 ns
零件號別名:
SUM110P06-07L
單位重量:
2 g

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