說明：TPHR9003NL
MOSFET硅N溝道MOS型（U-MOS��-H）


1.應用：TPHR9003NL
•用于開關穩壓器
•對于DC-DC轉換器

2.特點：TPHR9003NL
（1）切換速度快。
（2）柵極輸入電荷很小。 ：QSW = 16 nC（典型值）
（3）低導通電阻。 ：RDS（ON）= 1.1mΩ（標準）（VGS = 4.5 V）
（4）低漏電流。 ：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
（5）易于處理的增強類型。 ：Vth = 1.3至2.3 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）

制造商:TPHR9003NL
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOP-Advance-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
60 A
Rds On-漏源導通電阻:
1.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.3 V
Qg-柵極電荷:
74 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
78 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
U-MOSVIII-H
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.95 mm
長度:
5 mm
系列:
TPHR9003NL
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5 mm
商標:
Toshiba
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
5000
子類別:
MOSFETs
單位重量:
851 mg