描述：FDN338P
FDN338P：P上限，2.5V指定，PowerTrench™MOSFET，-20V，-1.6A，115mΩ
此P額定2.5V指定MOSFET使用先進的低壓PowerTrench工藝。此產品非常適用于電池管理應用。

特性：FDN338P
–1.6 A，–20V。
RDS（ON）= 115mΩ@ VGS = –4.5 V
RDS（ON）= 155mΩ@ VGS = –2.5 V
快速開關速度
先進的技術可實現極低的RDS（ON）
SuperSOT™-3提供低RDS（ON），并且在同樣的尺寸下，功率處理能力比SOT23高出30％

應用：FDN338P
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
電池管理
負荷開關
電池保護

制造商:FDN338P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
1.6 A
Rds On-漏源導通電阻:
115 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.12 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDN338P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
6 S
下降時間:
11 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
11 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
16 ns
典型接通延遲時間:
10 ns
零件號別名:
FDN338P_NL
單位重量:
30 mg