描述：PBSS5350T
50 V，3 A
PNP低VCEsat（BISS）晶體管
采用SOT23塑料封裝的PNP低VCEsat晶體管。
NPN補體：PBSS4350T。

特征：PBSS5350T
•低的集電極-發射極飽和電壓VCEsat和
相應的低RCEsat
•高集電極電流能力
•高集電極電流增益
•由于減少了熱量產生而提高了效率。

應用領域：PBSS5350T
•電源管理應用
•中低功率DC / DC轉換器
•電源線切換
•電池充電器
•具有低壓降（LDO）的線性電壓調節。

制造商:PBSS5350T
Nexperia
產品種類:
雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
晶體管極性:
PNP
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO:
50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:
- 5 V
最大直流電集電極電流:
- 5 A
Pd-功率耗散:
300 mW
增益帶寬產品fT:
100 MHz
最小工作溫度:
- 65 C
最大工作溫度:
+ 150 C
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
直流電流增益 hFE 最大值:
200 at 100 mA, 2 V
高度:
1 mm
長度:
3 mm
技術:
Si
寬度:
1.4 mm
商標:
Nexperia
集電極連續電流:
- 2 A
直流集電極/Base Gain hfe Min:
200
產品類型:
BJTs - Bipolar Transistors
資格:
AEC-Q101
工廠包裝數量:
3000
子類別:
Transistors
零件號別名:
PBSS5350T T/R
單位重量:
8 mg