新一代MOSFET旨在最大程度地減少
通態電阻（RDS（ON））并保持出色的開關
性能，使其成為高效電源管理的理想選擇
應用程序。
低導通電阻
低門限電壓
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
案例：SOT23
外殼材料：模制塑料。 UL易燃性分類
額定94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子：表面處理-霧錫在銅上退火
引線框。 可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
重量：0.009克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 4.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 5.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.38 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: DMP3056
晶體管類型: 1 P-Channel
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 18.2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.7 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 35.2 ns
典型接通延遲時間: 4.9 ns
單位重量: 8 mg
