描述：CSD87335Q3D
CSD87335Q3D NexFET™電源塊是針對同步降壓應用的優化設計以3.3mm×3.3mm的小尺寸提供高電流，高效率和高頻能力大綱。針對5V柵極驅動應用進行了優化產品提供了一種靈活的解決方案，能夠提供與任何5-V配對時的高密度電源來自外部控制器或驅動器的柵極驅動

1特點：CSD87335Q3D
1•半橋電源塊
•高達27V VIN
•15 A時系統效率為93.5％
•高達25A的操作
•高頻操作（高達1.5 MHz）
•高密度SON 3.3mm×3.3mm尺寸
•針對5V柵極驅動進行了優化
•低開關損耗
•超低電感封裝
•符合RoHS
•無鹵素
•無鉛端子電鍍

2應用：CSD87335Q3D
•同步降壓轉換器
–高頻應用
–高電流，低占空比應用
•多相同步降壓轉換器
•POL DC-DC轉換器
•IMVP，VRM和VRD應用程序

制造商:CSD87335Q3D
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
LSON-CLIP-8
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
25 A
Rds On-漏源導通電阻:
2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V, 750 mV
Qg-柵極電荷:
5.7 nC, 10.7 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
6 W
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.5 mm
長度:
3.3 mm
系列:
CSD87335Q3D
晶體管類型:
2 N-Channel
寬度:
3.3 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
59 S, 107 S
下降時間:
4 ns, 5 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
29 ns, 27 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
13 ns, 17 ns
典型接通延遲時間:
8 ns, 8 ns
單位重量:
67.100 mg