該MOSFET旨在最大程度地降低導通電阻
（RDS（ON））并保持出色的開關性能，使其成為
高效電源管理應用的理想選擇。
背光
電源管理功能
DC-DC轉換器
低導通電阻
切換速度快
低閾值
低門驅動
低輸入電容
無鉛表面處理； 符合RoHS（注1和注2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
案例：SOT223
外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。
UL易燃性分類等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子連接：請參見下圖
端子：表面處理-霧錫在銅引線框架上退火。
可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
重量：約0.112克
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 18.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 53.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 17.3 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.6 mm
長度: 6.5 mm
系列: DMP60
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.5 mm
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 62 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.1 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 110 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
單位重量: 112 mg
