低噪聲硅雙極RF晶體管
特點：BFP410 H6327
•適用于低電流設備 用于手持設備
•對于高頻振蕩器，例如 LNB的DRO
•適用于ISM頻段應用，例如
自動抄表，傳感器等
•傳輸頻率fT = 25 GHz
•無鉛（符合RoHS要求）和無鹵素封裝
有可見的引線
•提供符合AEC-Q101的鑒定報告
制造商: Infineon
產品種類: 射頻(RF)雙極晶體管
RoHS: 詳細信息
系列: BFP410
晶體管類型: Bipolar
技術: Si
晶體管極性: NPN
工作頻率: 25 GHz
直流集電極/Base Gain hfe Min: 60
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 4.5 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 1.5 V
集電極連續電流: 40 mA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-343
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
類型: RF Bipolar Small Signal
商標: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 150 mW
產品類型: RF Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
零件號別名: SP000762244 BFP41H6327XT BFP410H6327XTSA1
單位重量: 7 mg
