TS321QDBVRQ1正品原裝進口現貨

TS321QDBVRQ1封裝：SOT23-5

TS321QDBVRQ1批號：20+

TS321QDBVRQ1品牌：TI/德州儀器

以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！


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制造商: Texas Instruments
產品種類: 運算放大器 - 運放
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-5
通道數量: 1 Channel
電源電壓-最大: 30 V
GBP-增益帶寬產品: 800 kHz
每個通道的輸出電流: 40 mA
SR - 轉換速率 : 0.4 V/us
Vos - 輸入偏置電壓 : 4 mV
電源電壓-最小: 3 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
Ib - 輸入偏流: 150 nA
工作電源電流: 500 uA
關閉: No Shutdown
CMRR - 共模抑制比: 65 dB to 85 dB
en - 輸入電壓噪聲密度: 50 nV/sqrt Hz
系列: TS321-Q1
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
放大器類型: Low Power Amplifier
特點: High Cload Drive
高度: 1.15 mm
輸入類型: Rail-to-Rail
長度: 2.9 mm
產品: Operational Amplifiers
電源類型: Single, Dual
技術: Bipolar
寬度: 1.6 mm
商標: Texas Instruments
雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V
最大雙重電源電壓: +/- 15 V
最小雙重電源電壓: +/- 1.5 V
工作電源電壓: 3 V to 30 V, +/- 1.5 V to +/- 15 V
產品類型: Op Amps - Operational Amplifiers


子類別: Amplifier ICs
電壓增益 dB: 100 dB
單位重量: 6.300 mg

三星加速開發160層或更高堆疊層數的3D NAND Flash

來源：全球半導體觀察作者：時間：2020-04-20 14:21

三星堆疊層數

當前，3D NAND Flash快閃存儲器產品量產的最高堆疊層數為128層，不過三星正在研發更高層數的快閃存儲器。

據韓國媒體《ETnews》近日報道，三星目前正在開發具有160層或更高層的第7代V-NAND快閃存儲器，并且在相關技術方面已經取得重大進展。

《ETnews》指出，三星的第7代V-NAND快閃存儲器將采用“雙堆疊”的技術來達到更多堆疊層的目的。就現階段來說，如果完成160層堆疊的V-NAND快閃存儲器開發，將成為業界最高堆疊層數的產品。

報導進一步指出，在存儲器產業中，這稱為3D NAND Flash的快閃存儲器，三星則是稱為V-NAND快閃存儲器。堆疊層數的多少是3D NAND Flash快閃存儲器廠商的核心競爭力，而目前三星是被公認為業界技術最先進的廠商。

另外，三星在2019年也以166.7億美元（約20萬億韓元）的營收，在全球3D NAND Flash快閃存儲器市場上成為龍頭，市占率達到35.9%。

值得一提的是，盡管新冠肺炎疫情爆發，但三星仍在繼續進行存儲器生產與研發的投資，其中包括對西安的NAND Flash快閃存儲器工廠進行擴產。

除了三星之外，韓國另一個存儲器大廠SK Hynix也在2019年宣布了160層或更高層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器開發與生產規劃。