描述：SI4435DDY-T1-GE3
P通道30V（D-S）MOSFET

特征：SI4435DDY-T1-GE3
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•符合RoHS指令2002/95 / EC

應用領域：SI4435DDY-T1-GE3
•負荷開關
•電池開關

制造商:SI4435DDY-T1-GE3
Vishay
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
11.4 A
Rds On-漏源導通電阻:
24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
50 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
TrenchFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
系列:
SI4
晶體管類型:
1 P-Channel
商標:
Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值:
23 S
下降時間:
12 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
8 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
45 ns
典型接通延遲時間:
10 ns
零件號別名:
SI4435DDY-GE3
單位重量:
187 mg