293D336X9010C2TE3正品原裝進口現貨
293D336X9010C2TE3封裝：SMD
293D336X9010C2TE3批號：20+
293D336X9010C2TE3品牌：VISHAY/威世
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制造商:
Vishay
產品種類:
鉭質電容器-固體SMD
RoHS:
詳細信息
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
系列:
293D
電容:
33 uF
電壓額定值 DC:
10 VDC
容差:
10 %
ESR:
1.4 Ohms
外殼代碼 - in:
2312
外殼代碼 - mm:
6032
制造商庫存號:
C Case
高度:
2.5 mm
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 125 C
端接類型:
SMD/SMT
長度:
6 mm
封裝 / 箱體:
2312 (6032 metric)
產品:
Tantalum Solid Standard Grade - Other Various
類型:
Molded
寬度:
3.2 mm
商標:
Vishay / Sprague
漏泄電流:
3.3 ÂμA
損耗因數 DF:
6
產品類型:
Tantalum Capacitors
紋波電流:
0.28 A
子類別:
Capacitors
單位重量:
150 mg
全球最大氮化鎵工廠設備正式搬入 年底進入試生產
來源：汾湖發布作者：時間：2020-09-21 10:30
氮化鎵工廠設備試生產
9月20日消息，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）舉行了設備搬入儀式，標志世界首條采用IDM模式8英寸第三代化合物半導體硅基氮化鎵大規模量產線從建設階段正式進入試生產階段。
位于汾湖高新區的英諾賽科是一家集研發、設計、外延生長、芯片制造、芯片測試為一體的第三代半導體企業。本次搬入的是國際領先的全自動系統，其行星式反應器平臺為目前全球最先進的五片 8英寸硅基氮化鎵生產專業設備，具有極其穩定的工藝流程、高效的實時清潔系統以及對提高良率至關重要的卡匣式裝卸裝置。
英諾賽科總經理孫在亨在致辭中表示，儀式舉行標志著吳江工廠已經建設完成，是產能爬升的開始，也是市場開拓的起點，預計年底進入試生產階段，計劃未來兩到三年內滿產后實現月產65000片8英寸硅基氮化鎵。
氮化鎵作為第三代半導體材料的代表性材料，在新能源汽車、激光雷達、快充等細分行業有著廣泛的應用。作為省級重點產業項目和長三角生態綠色一體化發展示范區首批亮點項目，英諾賽科一期投資超60億元，建成后年產值預計可突破100億元，可創造就業崗位超過2000個，并有望在5年內形成百億級規模的第三代半導體材料器件產業基地。未來，將借助長三角的半導體產業基礎，與區域內更多企業開展合作，在汾湖形成第三代半導體的產業集群。
