描述：FQPF4N90C
FQPF4N90C：功率MOSFET，N長度，QFET®，900 V，4 A，4.2Ω，TO-220F
此N增強增強型功率MOSFET是使用Fairchild Semiconductor的平面條紋和DMOS專有技術生產的。此先進MOSFET技術適用于降低導通電阻，提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關 模式電源，有源功率系數校正（PFC）和電子燈鎮流器。

特性：FQPF4N90C
4A，900V，RDS（on）=4.2Ω（每秒）@VGS = 10 V，ID = 2A串口低（典型值：17nC）
低Crss（典型值5.6pF）
100％經過雪崩擊穿測試“
經過100％雪崩測試

應用：FQPF4N90C
液晶電視
LED電視
臺式計算機
AC-DC商用電源-臺式計算機

制造商:FQPF4N90C
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
900 V
Id-連續漏極電流:
4 A
Rds On-漏源導通電阻:
4.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
47 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
QFET
封裝:
Tube
高度:
16.07 mm
長度:
10.36 mm
系列:
FQPF4N90C
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
4.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
5 S
下降時間:
35 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
50 ns
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
40 ns
典型接通延遲時間:
25 ns
零件號別名:
FQPF4N90C_NL
單位重量:
2.270 g