NPN硅射頻晶體管采用塑料4引腳雙發射極SOT143R封裝，用于高速，低噪聲應用。
BFU550XR是BFU5晶體管系列的一部分，適用于小信號到
高達2 GHz的中功率應用。
•低噪聲，高擊穿射頻晶體管
•符合AEC-Q101
•900 MHz時的最小噪聲系數（NFmin）= 0.7 dB
•900 MHz時最大穩定增益21.5 dB
•11 GHz fT硅技術
•需要高電源電壓和高擊穿電壓的應用
•高達2 GHz的寬帶放大器
•適用于ISM應用的低噪聲放大器
•ISM頻段振蕩器
制造商: NXP
產品種類: 射頻(RF)雙極晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管類型: Bipolar Wideband
技術: Si
晶體管極性: NPN
工作頻率: 900 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min: 60
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 16 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 2 V
集電極連續電流: 15 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT143R-4
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
集電極—基極電壓 VCBO: 24 V
直流電流增益 hFE 最大值: 200
高度: 1.1 mm
長度: 3 mm
工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C
輸出功率: 13.5 dBm
類型: Wideband RF Transistor
寬度: 1.4 mm
商標: NXP Semiconductors
增益帶寬產品fT: 11 GHz
最大直流電集電極電流: 80 mA
Pd-功率耗散: 450 mW
產品類型: RF Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
零件號別名: 934067713215
單位重量: 26 mg
