描述：FDT86244
FDT86244：150V N橫向PowerTrench®MOSFET
這一N MOSFET器件采用飛兆半導體的高級PowerTrench®工藝生產，該工藝專為實現rDS（on），開關性能以及堅固性而優化。

特性：FDT86244

VGS = 10 V且ID = 2.8A時，最大rDS（on）= 128mΩ
VGS = 6 V且ID = 2.4A時，最大rDS（on）= 178mΩ
先進的技術可實現極低的rDS（on）
在廣泛使用的表面貼裝封裝中可實現高功率和高電流處理能力
快速開關速度
100％通過UIL測試

符合RoHS標準

應用：FDT86244
消費型設備
負荷開關
主開關

FDT86244

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 2.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 128 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V
Qg-柵極電荷: 4.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.2 W
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.8 mm
長度: 6.5 mm
系列: FDT86244
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.5 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 12 S
下降時間: 2.4 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 1.3 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 9.8 ns
典型接通延遲時間: 5.3 ns
單位重量: 112 mg