一般說明：MT46H32M16LFBF-5IT:C
512Mb移動低功耗DDR SDRAM是包含536,870,912位的高速CMOS動態隨機存取存儲器。在內部配置為四組
DRAM。 x16的134,217,728位存儲區中的每一個都被組織為8192行x 1024列x 16位。 x32的134,217,728位存儲區中的每個存儲區被組織為8192行
512列乘32位。在縮小的頁面大小（LG）選項中，每個x32
134,217,728位的存儲體被組織為16,384行乘256列乘32位。
注意：
1.在本數據手冊中，各種圖形和文字將DQ稱為“ DQ”。 DQ應該
除非另有明確說明，否則應解釋為所有DQ的統稱。此外，x16分為2個字節：低字節和高字節。對于較低
字節（DQ [7：0]），DM表示LDM，DQS表示LDQS。對于高位字節
（DQ [15：8]），DM表示UDM，DQS表示UDQS。 x32分為4個字節。
對于DQ [7：0]，DM指DM0，DQS指DQS0。對于DQ [15：8]，DM指的是
DM1和DQS是指DQS1。對于DQ [23:16]，DM表示DM2，DQS表示
DQS2。對于DQ [31:24]，DM指DM3，DQS指DQS3。
2.整個文檔中都描述了完整的功能；任何頁面或圖表
可能已經簡化以傳達主題，并且可能未包含所有要求。
3.任何具體要求優先于一般性聲明。
特征:MT46H32M16LFBF-5IT:C
•VDD / VDDQ = 1.70–1.95V
•每字節數據（DQS）雙向數據選通
•內部流水線雙倍數據速率（DDR）
建筑;每個時鐘周期兩次數據訪問
•差分時鐘輸入（CK和CK＃）
•在每個CK上升沿輸入的命令
•DQS與讀取的數據邊緣對齊；與WRITE的數據居中對齊
•4個內部銀行可同時運行
•用于屏蔽寫入數據的數據屏蔽（DM）；一個面具
每字節
•可編程突發長度（BL）：2、4、8或16
•支持并發自動預充電選項
•自動刷新和自我刷新模式
•1.8V LVCMOS兼容輸入
•溫度補償自刷新（TCSR）
•部分陣列自刷新（PASR）
•深度掉電（DPD）
•狀態讀取寄存器（SRR）
•可選的輸出驅動強度（DS）
•時鐘停止功能
•64ms刷新，32ms用于汽車溫度
制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM Mobile - LPDDR
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VFBGA-60
數據總線寬度: 16 bit
組織: 32 M x 16
存儲容量: 512 Mbit
最大時鐘頻率: 200 MHz
訪問時間: 5 ns
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電流—最大值: 70 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MT46H
封裝: Tray
商標: Micron
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1782
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 4.685 g
