描述：SI2312CDS-T1-GE3
N通道20 V（D-S）MOSFET

標記代碼：P5

特征：SI2312CDS-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•經過100％汞測試
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱

應用領域：SI2312CDS-T1-GE3
•DC / DC轉換器
•便攜式負載開關
應用領域

SI2312CDS-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 31.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 450 mV
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1.6 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 24 S
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 31 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
零件號別名: SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
單位重量: 8 mg