描述：STW4N150
使用牢固整合的高壓MESH意法半導體（ST）擁有OVERLAY™工藝設計了超高壓的先進系列具有出色性能的功率MOSFET。
強化的布局加上公司專有的邊緣終端結構，提供無與倫比的每單位面積最低的RDS（on）充電和開關特性。

特征：STW4N150
■經過100％雪崩測試
■固有電容和Qg最小化
■高速切換
■完全隔離的TO-3PF塑料包裝
■爬電距離路徑為5.4毫米（典型值）
TO-3PF

應用：STW4N150
■切換應用

制造商:STW4N150
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
1.5 kV
Id-連續漏極電流:
4 A
Rds On-漏源導通電阻:
7 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
30 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
160 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerMESH
封裝:
Tube
高度:
20.15 mm
長度:
15.75 mm
系列:
STW4N150
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5.15 mm
商標:
STMicroelectronics
下降時間:
45 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
30 ns
工廠包裝數量:
600
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
45 ns
典型接通延遲時間:
35 ns
單位重量:
38 g