描述：SI4455DY-T1-GE3

P溝道150V（D-S）MOSFET

特征：SI4455DY-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•經過100％的Rg和UIS測試
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱

應用領域：SI4455DY-T1-GE3
•中間DC /中的有源鉗位
直流電源
•H橋高端開關，用于
照明應用

SI4455DY-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 2.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 315 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.9 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI4
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI4455DY-GE3
單位重量: 750 mg