P溝道1.8 V（G-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•經過100％UIS測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•適配器開關
•大電流負載開關
• 筆記本
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 13.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 15.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI4
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 40 S
下降時間: 40 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 101 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
單位重量: 187 mg
