N和P通道30 V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•經過100％UIS測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•DC / DC轉換器
•負荷開關
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 4.3 A, 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 47 mOhms, 89 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 6 nC, 7.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.78 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI4
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 7 S
下降時間: 6 ns, 7.7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns, 13 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 14 ns, 17 ns
典型接通延遲時間: 5.5 ns, 7 ns
零件號別名: SI4532CDY-GE3
單位重量: 750 mg
