N和P通道12V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•散熱增強的PowerPAK®
SC-70包裝
-占地面積小
-低導通電阻
•物料分類：用于以下方面的定義
合規性
•便攜式設備的負載開關
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續漏極電流: 4.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 29 mOhms, 61 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 15 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 0.75 mm
長度: 2.05 mm
系列: SIA
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度: 2.05 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 21 S, 11 S
下降時間: 10 ns, 20 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns, 25 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 22 ns, 30 ns
典型接通延遲時間: 10 ns, 30 ns
零件號別名: SIA517DJ-GE3
單位重量: 28 mg
