描述：SIA975DJ-T1-GE3
雙P通道12V（D-S）MOSFET

標記代碼：DJ

產品特點：SIA975DJ-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•新的耐熱增強型PowerPAK®
SC-70包裝
-占地面積小
-低導通電阻
•已通過100％汞測試
•物料分類：用于符合性的定義

應用領域：SIA975DJ-T1-GE3
•便攜式的負載開關，PA開關和電池開關
設備和游戲機

SIA975DJ-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續漏極電流: 4.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 33 mOhms, 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 7.8 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SIA
晶體管類型: 2 P-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 12 S, 12 S
下降時間: 15 ns, 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns, 22 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 32 ns, 32 ns
典型接通延遲時間: 22 ns, 22 ns
零件號別名: SIA975DJ-GE3
單位重量: 28 mg