P通道200V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
可用的
•TrenchFET®功率MOSFET
•低熱阻PowerPAK®
小尺寸，低1.07 mm的封裝
輪廓
•100％的UIS和Rg測試
•中間DC / DC電源中的有源鉗位
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 3.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.05 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 50 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.04 mm
長度: 3.3 mm
系列: SI7
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.3 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 4 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: SI7119DN-GE3
單位重量: 1 g
