一般說明：MT29F4G08ABADAH4:D
美光NAND閃存設備包括用于高性能I / O操作的異步數據接口。這些設備使用高度復用的8位總線（I / Ox）進行傳輸命令，地址和數據。有五個控制信號用于實現異步數據接口：CE＃，CLE，ALE，WE＃和RE＃。附加信號控制硬件寫保護和監視設備狀態（R / B＃）。該硬件接口創建了一個低引腳數的設備，其標準引腳從一種密度到另一種密度都保持不變，從而無需將來重新設計電路板即可升級到更高密度。目標是通過芯片使能信號訪問的存儲器單元。目標包含一個或更多NAND閃存死亡。 NAND閃存芯片是可以獨立運行的最小單元執行命令并報告狀態。在ONFI規范中，NAND閃存芯片是稱為邏輯單元（LUN）。每個芯片啟用至少一個NAND閃存芯片信號。有關更多詳細信息，請參閱設備和陣列組織。該設備具有內部4位ECC，可使用GET / SET功能啟用該功能。有關更多信息，請參閱內部ECC和ECC的備用區域映射。

特征：MT29F4G08ABADAH4:D
•兼容開放式NAND閃存接口（ONFI）1.0
•單層電池（SLC）技術
•組織
–頁面大小x8：2112字節（2048 + 64字節）
–頁面大小x16：1056字（1024 + 32字）
–塊大小：64頁（128K + 4K字節）
–飛機尺寸：2飛機x每飛機2048塊
–設備大小：4Gb：4096個塊； 8Gb：8192個塊
16Gb：16,384個塊
•異步I / O性能
–
tRC / tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
•陣列性能
–閱讀頁：25μs 3
–程序頁面：200μs（典型值：1.8V，3.3V）3
–擦除塊：700μs（TYP）
•命令集：ONFI NAND閃存協議
•高級命令集
–程序頁面緩存模式4
–讀取頁面緩存模式4
–一次性可編程（OTP）模式
–兩平面命令4
–交錯式裸片（LUN）操作
–讀取唯一ID
–塊鎖（僅1.8V）
–內部數據移動
•操作狀態字節提供了用于以下目的的軟件方法
檢測
–操作完成
–通過/失敗條件
–寫保護狀態
•就緒/忙碌＃（R / B＃）信號提供了硬件
操作完成的檢測方法
•WP＃信號：寫保護整個設備
•出廠時帶有ECC的第一個塊（塊地址00h）有效。最低要求
ECC，請參閱錯誤管理。
•如果PROGRAM / ERASE周期小于1000，則塊0需要1位ECC
•開機后第一個命令要求RESET（FFh）
•上電后設備初始化的另一種方法（Nand_Init）（聯系工廠）
•內部支持的內部數據移動操作
從中讀取數據的平面
•質量和可靠性
–數據保留：10年
–耐久性：100,000個程序/擦除周期
•工作電壓范圍
– VCC：2.7–3.6V
– VCC：1.7–1.95V
•工作溫度：
–商業：0°C至+ 70°C
–工業（IT）：–40°C至+ 85°C
–汽車工業（AIT）：–40°C至+ 85°C
–汽車（AAT）：–40°C至+ 105°C
•包裝
– 48引腳TSOP類型1，CPL2
– 63球VFBGA
注意：1. ONFI 1.0規范可在以下位置獲得：
www.onfi.org。
2. CPL =中心分型線。
3.請參閱編程和擦除特性以了解
tR_ECC和tPROG_ECC規范。
4.這些命令僅受ECC支持
禁用的。

制造商:MT29F4G08ABADAH4:D
Micron Technology
產品種類:
NAND閃存
RoHS:
詳細信息
系列:
MT29F
封裝:
Tray
產品:
NAND Flash
商標:
Micron
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
NAND Flash
工廠包裝數量:
1260
子類別:
Memory & Data Storage