描述：TK39N60W5
MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS�校�

1.應用：TK39N60W5
•開關穩壓器

2.特點：TK39N60W5
（1）快速反向恢復時間：trr = 150 ns（典型值）
（2）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.062Ω（典型值）
通過使用超結結構：DTMOS
（3）易于控制的門開關
（4）增強模式：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V，ID = 1.9 mA

制造商:TK39N60W5
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續漏極電流:
38.8 A
Rds On-漏源導通電阻:
62 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
135 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
270 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
DTMOSIV
封裝:
Tube
高度:
20.95 mm
長度:
15.94 mm
系列:
TK39N60W5
寬度:
5.02 mm
商標:
Toshiba
下降時間:
9 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
120 ns
工廠包裝數量:
30
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
200 ns
典型接通延遲時間:
180 ns
單位重量:
38 g