描述：SI1012CR-T1-GE3

N通道20 V（D-S）MOSFET

特征：SI1012CR-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET：額定1.2 V
•已通過100％汞測試
•柵源ESD保護：1000 V
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱

應用領域：SI1012CR-T1-GE3
•便攜式設備的負載/電源開關
•驅動器：繼電器，電磁閥，燈，錘子，顯示器，
回憶
•電池操作系統
•電源轉換器電路

SI1012CR-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-75-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 600 mA
Rds On-漏源導通電阻: 396 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 1.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 240 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.8 mm
長度: 1.575 mm
系列: SI1
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 0.76 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 7.5 S
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
零件號別名: SI1012CR-GE3
單位重量: 2 mg