描述：SI1902CDL-T1-GE3
雙N溝道20 V（D-S）MOSFET

標記代碼：PE

特征：SI1902CDL-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱

應用領域：SI1902CDL-T1-GE3
•負載開關和
DC / DC轉換器
便攜式設備
•高速切換

SI1902CDL-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 1.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 235 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 420 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 0.75 mm
長度: 2.05 mm
系列: SI1
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 2.05 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 3 mS
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
零件號別名: SI1902CDL-T1-BE3 SI1958DH-T1-GE3
單位重量: 28 mg