描述：SI3865DDV-T1-GE3
SI3865DDV-T1-GE3在其內部包含一個p溝道和n溝道MOSFET。
單個TSOP-6封裝。 低導通p通道
TrenchFET專為用作負載開關而設計。 這
具有外部電阻的n通道可用作
電平轉換以驅動p通道負載開關。 N通道
MOSFET具有內部ESD保護，可以驅動
通過低至1.8 V的邏輯信號。SI3865DDV-T1-GE3運行
在1.5 V至12 V的電源線上，可以驅動負載
至2.8A。


特征：SI3865DDV-T1-GE3
•低RDS（on）TrenchFET®：額定1.5 V
•1.5 V至12 V輸入
•1.8 V至8 V邏輯電平控制
•薄型，小尺寸TSOP-6封裝
•輸入開關2100 V ESD保護，VON / OFF
•可調擺率
•物料分類：用于符合性的定義

應用領域：SI3865DDV-T1-GE3
•帶有液位轉換門驅動的負載開關
•擺率控制
•便攜式/消費類設備

SI3865DDV-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: 電源開關 IC - 配電
RoHS: 詳細信息
類型: High Side
輸出端數量: 1 Output
電流限制: 2.8 A
導通電阻—最大值: 165 mOhms
工作電源電壓: 1.5 V to 12 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
系列: SI3865DDV
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
產品: Load Switches
商標: Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散: 0.83 W
產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
工廠包裝數量: 3000
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 12 V
電源電壓-最小: 1.5 V
商標名: TrenchFET
單位重量: 20 mg