此器件為 N 溝道、30V耐壓、9.5mΩ內阻、SOP8L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足電機驅動/電池保護/負載開關等應用領域。
特性：HY1103S
優異的Qg
低輸入電容
符合RoHS標準
提升系統效率
優勢：HY1103S
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
應用：HY1103S
電池保護/負載開關/DC-DC/同步整流
HY1103S
發布時間:2021/1/30 18:18:00 訪問次數:155 發布企業:西旗科技（深圳）有限公司
描述：HY1103S
此器件為 N 溝道、30V耐壓、9.5mΩ內阻、SOP8L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足電機驅動/電池保護/負載開關等應用領域。
特性：HY1103S
優異的Qg
低輸入電容
符合RoHS標準
提升系統效率
優勢：HY1103S
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
應用：HY1103S
電池保護/負載開關/DC-DC/同步整流
此器件為 N 溝道、30V耐壓、9.5mΩ內阻、SOP8L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足電機驅動/電池保護/負載開關等應用領域。
特性：HY1103S
優異的Qg
低輸入電容
符合RoHS標準
提升系統效率
優勢：HY1103S
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
應用：HY1103S
電池保護/負載開關/DC-DC/同步整流
上一篇：HRS4H-S-DC12V-A
下一篇：HY1403D
同公司其他新聞- 01-18STM32H750VBT6
- 01-18UC3844BVD1R2G
- 01-18SCTW35N65G2V
- 01-18REF193GSZ
- 01-18TJA1050T/CM
- 01-18XCF04SVOG20C
- 04-15恩智浦半導體CAN接口集成電路SJA1000T/N1
- 04-15AD8627AKSZ-REEL7
- 04-15L6563STR意法半導體功率因數校正
- 04-15ADM2587EBRWZ-REEL7
- 04-15德州儀器運算放大器LM358DR
- 04-15ULN2003ADR
