一般說明：FDA50N50

UniFETTM MOSFET 是基于平面條紋和 DMOS 技術的高壓 MOSFET 系列。此 MOSFET 適用于降低導通電阻，提供更佳

的開關性能以及更高的雪崩能量強度。此器件系列適用于開關電力轉換器應用，如功率系數校正 (PFC)、平板顯示屏

(FPD) TV 電源、ATX 和電子燈鎮流器。

特性：FDA50N50

RDS(on) = 56mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 29.5A
低柵極電荷（典型值 77nC）
低 Crss（典型值 80pF）
100% 經過雪崩擊穿測試

應用：FDA50N50

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。

制造商:FDA50N50
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-3PN-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續漏極電流:
48 A
Rds On-漏源導通電阻:
105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
625 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
高度:
20.1 mm
長度:
16.2 mm
系列:
FDA50N50
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:
230 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
360 ns
工廠包裝數量:
450
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
225 ns
典型接通延遲時間:
105 ns
單位重量:
6.401 g