IS42S32800D-6BI正品原裝進口現貨

IS42S32800D-6BI封裝：BGA

IS42S32800D-6BI批號：20+

IS42S32800D-6BI品牌：1035+

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制造商: ISSI
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: N
類型: SDRAM
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-90
數據總線寬度: 32 bit
組織: 8 M x 32
存儲容量: 256 Mbit
最大時鐘頻率: 166 MHz
訪問時間: 5.5 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 3 V
電源電流—最大值: 180 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: IS42S32800D-6
封裝: Tray
高度: 1.05 mm
長度: 13 mm
寬度: 8 mm
商標: ISSI
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM


子類別: Memory & Data Storage

P計劃”量產讓三星丟棄LCD 擾動存儲價格的關鍵在哪？

來源：華強電子網作者：June時間：2020-08-31 18:30

P2工廠存儲LCDDRAM

今天，TCL科技舉行2020年半年度業績交流會。據報道，會上董事長李東生談及TCL近日收購蘇州三星液晶面板產線時表示，行業低谷期正是公司加快發展的機會，但公司不會考慮戰略業務以外的領域。

作為TCL科技營收占比最高的版塊，8月28日，TCL科技公告稱， TCL華星將收購蘇州三星電子液晶顯示科技有限公司60%的股權，以及蘇州三星顯示有限公司100%的股權。

事實上，三星在中國境內顯示產業的“節節敗退”，目的是為了換來其國內DRAM的精細化發展。

今日消息，三星電子平澤工廠第二生產線（P2工廠）正式啟動，首發量產產品是采用了EUV制程的16GbLPDDR5移動DRAM，開創業界先河。其建筑面積相當于16個足球場，是全球最大規模的半導體生產線。

不過，這是否預示著新一輪存儲產能過剩，價格下行周期似乎又要到來？

據悉，平澤工廠第二生產線本次投放的16Gb LPDDR5移動DRAM為第三代的10nm LPDDR5產品，性能超過以往數代產品，達到業內最高容量和速度。

三星移動DRAM技術節點

實際上，三星在今年2月已推出了第二代10nm制程，實現了16GbLPDDR5 DRAM的量產。難以預估的是，短短半年內再次升級生產線，生產出最新一代的移動DRAM。

據了解，新產品較原有旗艦智能手機使用的12Gb移動DRAM提速16%，較上代產品在封裝厚度上減少三成。新技術除了在同等容量上做到成本更低外，也能為日益高端化、對厚度有高敏感度的智能手機提供強化方案。

不難發現，今年以來，隨著5G手機的大規模鋪開，主流高端旗艦機已標配LPDDR5，容量達到12GB，隨著三星最新16GB LPDDR5的量產，今年的旗艦機將達到更高容量，甚至可以在一秒鐘內傳輸10個左右5GB大小的高清電影。

編者認為，雖然受全球疫情影響，今年以來各類終端產品出貨情況受挫明顯，存儲產業短期不明朗。但在5G、AI、IoT等技術推動下，未來存儲產業前景可觀，自身技術優勢明顯，這是三星“丟棄”LCD加碼存儲的關鍵。

實際上，平澤P2工廠是技術尖端的綜合類生產線，只不過首先實現的是DRAM的量產。為應對市場對EUV工藝尖端產品的需求，下一步還將生產新一代VNAND以及超精細晶圓代工產品等。

畢竟，今年5月三星電子已開始在工廠內建造代工生產線，6月份又開始建造NAND閃存半導體生產線，為的就是供應日后市場對尖端VNAND產品的需求。不過，預計兩條產線要到明年下半年才能正式投產。

編者認為，在政府大力支持下，中芯、長江存儲、長鑫等國內企業在技術上突破同時，也在積極整合上下游資源。三星是為了確保在下次工業革命時代到來之時，自己依然能夠保持半導體行業的領導地位。

目前，三星的P1正在運營當中，P2也準備開始全面運作，而P3近日也有相關動態。

據韓聯社8月10日報道，三星電子平澤第3生產線P3將于今年9月動工，該工廠的生產制造規模要比P2工廠更大，將成為三星在平澤最大的晶圓廠，而量產時間預計為2023年下半年。另一方面，除了P1、P2、P3外，三星還計劃未來在平澤市再新建三座晶圓廠。

編者認為，根據此前媒體披露的信息來看，不難推測，未來這三座神秘晶圓廠將會是計劃中的P4至P6項目，相關設施建設將按計劃逐步進行，后續也會一一披露。三星電子平澤工廠的動態頻頻，重金布局，無疑就是為了保持與競爭公司的差距，尤其是想進一步拉大中韓半導體間的差距。

顯然，三星的產品還是階段性地克服了技術性難關，進一步突破精細制程的界限，更迅速地應對顧客需求。憑借更快更薄的產品，自然對搶占明年5G和AI加持的智能旗艦機市場更有把握，甚至有望將供貨范圍進一步擴大至汽車電裝用途。

今年上半年，三星研發投入創造了歷史新高，產能方面，隨著三星平澤P2工廠投產，再加上西安二期新工廠分階段實現產能滿載及投產，三星今明兩年內擴大產能的勢頭已無法阻擋，這當中主要涉及DRAM和NAND存儲產線。

盡管主流屏幕顯示技術之路尚未完全清晰，三星LCD產業也被迫敗走中國。但在存儲、半導體代工這些相對領先的領域，三星依然沒有松懈，P系列工廠的相繼成熟，無疑將再度譜寫三星新一輪技術和產能的領先競爭優勢。