·說明：TK18A50D

·開關穩壓器

·特點：TK18A50D

·漏源導通電阻低：RDS（on）=0.22Ω（典型值）

·增強模式：Vth = 2.0到4.0V（VDS = 10 V，ID = 1.0mA）·已測試100％雪崩·最小的批量對批量變化，以實現堅固的器件性能可靠

制造商:TK18A50D
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續漏極電流:
18 A
Rds On-漏源導通電阻:
270 mOhms
Pd-功率耗散:
50 W
配置:
Single
商標名:
MOSVII
封裝:
Tube
高度:
15 mm
長度:
10 mm
系列:
TK18A50D
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.5 mm
商標:
Toshiba
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
50
子類別:
MOSFETs
單位重量:
6 g