描述：TK100E10N1
MOSFET硅N溝道MOS（U-MOS-H）
1.應用：TK100E10N1
•開關穩壓器
2.特點：TK100E10N1
（1）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 2.8mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
（2）低泄漏電流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 100 V）
（3）增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
Toshiba
產品種類:
MOSFET
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
配置:
Single
商標名:
DTMOSIV
高度:
15.1 mm
長度:
10.16 mm
系列:
TK100E10N1
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.45 mm
商標:
Toshiba
產品類型:
MOSFET
子類別:
MOSFETs
