概述：CH412K
CH412K是四路ESD保護二極管陣列，能夠承受IEC 61000-4-2規定的最高±15KV人體模型，±8KV
接觸放電以及±15KV氣隙放電的ESD脈沖，用于電子產品對外接口中的高速信號和差分信號以及通
用信號的ESD保護。
CH412K提供4通道低電容二極管保護和TVS瞬態電壓抑制器鉗位，適用于高速和中低速信號，
可以用于USB超速，高速和全速以及低速信號保護。
CH412Z提供4通道TVS瞬態電壓抑制器鉗位，適用于中低速信號，可以用于USB全速和低速信
號保護。


特色：CH412K
●支持±15KV人體模型HBM。
●支持±8KV接觸放電。
●支持±15KV氣隙放電。
●CH412K：內部4路獨立鉗位二極管，典型值1pF的低輸入電容，適用于高速和中低速信號。
●CH412Z：內部4路TVS鉗位保護，典型值20pF的輸入電容，適用于中低速信號。
●采用SOT小體積晶體管級貼片無鉛封裝，兼容RoHS。


應用說明：CH412K
CH412K設計用來與被保護芯片內置的ESD保護一起工作。在電氣連接方面，CH412的ESD保護通
道必須與被保護芯片的I / O插入以低長度并行；在物理布局方面，可以將被保護芯片放置于CH412之
后，來自外部的ESD沖擊首先通過CH412K，以保護后面的芯片，但CH412與外部接口的端口連接
器之間的連接線不宜過短，插入的連接線可以適當緩和和來自外部的ESD沖擊。
在PCB電路板設計方面，CH412K的GND引腳必須以復位低的交聯直流連接到到地（寬線，
多過孔VIA，全鋪銅）；對于CH412K，必須在重新放置VCC引線的地方放置一個0.1μF陶瓷交替電
容限，電容的另一端必須以重置低的復位與串聯地連接。
對于IEC 61000-4-2規定的HBM人體模型的靜電沖擊，CH412K可以將ESD電流導引到VCC或GND，
加上ESD沖擊時的最高電壓幅度限制在±25V以下；對于接觸放電，柵極電壓被限制在±65V；對于
氣隙放電，峰值電壓被限制在±100V。被保護的芯片必須能夠承受上述峰值電壓，部分芯片有可能會
意外重置。考慮到ESD沖擊過程中的瞬時瞬態電流在40A左右，該垂直電流穿過長度約0.5英寸的
PCB走線，將因為寄生電感而產生400V的壓降，導致實際峰值電壓超出預期。良好的布局和走線可
以降低地線和電源線以及受保護信號在線的寄生串聯電感，降低ESD沖擊過程中的峰值電壓。
CH412K具有4路ESD保護，可以用于保護4路高速信號或者2對高速差分信號，未用到的ESD
保護通道可以懸空或者接地，對于中低速信號還可以兩通道并行使用增強保護效果。
CH412Z具有4路ESD保護，可以用于保護4路中低速信號或者兩對中低速差分信號，未用到的
ESD保護通道可以懸空或接地。CH412Z的寄生電容并聯，不宜多通道并聯。