內容描述：SPP11N80C3
CoolMOSTM功率晶體管
特色功能：SPP11N80C3
•革命性的高壓新技術
•極限dv / dt額定
•高峰值電流能力
•通過JEDEC1）認證，適用于目標應用
•無鉛鉛鍍層；符合RoHS要求
•超低柵極電荷
•超低有效電容
CoolMOSTM 800V設計用于：
直流大電壓工業應用
切換應用（即主動鉗位向前）
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:PG-TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續漏極電流:11 A
Rds On-漏源導通電阻:450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V
Qg-柵極電荷:64 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:156 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:CoolMOS
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
系列:CoolMOS C3
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標:Infineon Technologies
下降時間:10 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:15 ns
工廠包裝數量:500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:72 ns
典型接通延遲時間:25 ns
零件號別名:SPP11N80C3XKSA1 SP000683158 SPP11N8C3XK SPP11N80C3XKSA1
單位重量:6 g
