描述：IRFP4868PBF
300V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用TO-247AC封裝
優勢：IRFP4868PBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
針對10 V柵極驅動電壓進行了優化（稱為正常水平）
行業標準的通孔電源封裝
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
針對高功率密度
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:300 V
Id-連續漏極電流:70 A
Rds On-漏源導通電阻:32 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Qg-柵極電荷:270 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:517 W
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:20.7 mm
長度:15.87 mm
寬度:5.31 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:80 S
下降時間:45 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:16 ns
工廠包裝數量:400
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:62 ns
典型接通延遲時間:24 ns
零件號別名:SP001556792
單位重量:38 g
